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Samsung 最先量产运用第六代 256Gb 3-bit V-NAND 记忆体的 SSD

约稿员 热点 2021-02-23 326 2

早些时候 Samsung 正式宣告,基于第六代 256Gb 3-bit V-NAND 记忆体的硬碟新品已最先大规模量产。运用新技术的首款产物是 250GB 的 SATA SSD,其搭载的 V-NAND 采纳凌驾 100 层堆叠,写入和读取速率离别低于 450 和 45 微秒。和 Samsung 过去 90 层堆叠的 SSD 比拟,新一代的产物在效能上加强了 10%,同时功耗也降低了 15%。

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据 Samsung 引见,第六代 V-NAND 间隔上一代的更新只过去了 13 个月,量产周期缩短了 4 个月之多。「在完成了尖端 3D 记忆体的大规模量产后,我们就能够实时引入能大幅提拔速率、省电水准的记忆体产物。」Samsung 电子解决方案产物开辟实行副总裁 Kye Hyun Kyung 这么说道。除此之外,在新闻稿末了 Samsung 还泄漏,他们将会在本年下半年推出 512Gb 的 3-bit V-NAND SSD 和 eUFS 新品。

Samsung


原文衔接:https://tw.news.yahoo.com/samsung-%E9%96%8B%E5%A7%8B%E9%87%8F%E7%94%A2%E4%BD%BF%E7%94%A8%E7%AC%AC%E5%85%AD%E4%BB%A3-256gb-3-bit-141200001.html
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