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陆5G晶片症结资料大打破 力推商用开拓市场

约稿员 科技 2021-10-08 423 1

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陆5G晶片症结资料大打破 力推商用开拓市场


大陆国产化5G通讯晶片用氮化镓资料日前在西安电子科技大学芜湖研究院试制成功,这代表着以后大陆国内各大晶片企业消费在5G通讯晶片时,可望使用上中国国产资料。


据指出,氮化镓半导体资料具有宽频隙、高击穿场强、高热导率、低介电常数、高电子饱和漂移速率、强抗辐射才能和优胜化学稳定性等优胜理化性子。成为继第一代半导体矽、第二代半导体砷化镓以后,制作新一代微电子器件和电路的症结资料,迥殊适合于高频率、大功率、高温文抗辐照电子器件与电路的研制。

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西安电子科技大学芜湖研究院凭借着西电宽频隙半导体手艺国度重点学科实验室,研发出全中国国产的基于碳化矽衬底的氮化镓资料,现在在国际第三代半导体手艺范畴处于领先地位,将有助5G通讯制作范畴的国产化历程。


西电芜湖研究院手艺总监陈兴透露表现,现在研究院已控制了氮化镓资料的消费和5G通讯晶片的中心设想与制作才能。接下来他们将尽快将这项手艺商用,争夺早日推向市场。

(旺报 )

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